Алмаз мен жалпы металл мен қорытпаның арасындағы интерфейс энергиясы жоғары болғандықтан, алмаз бөлшектері төмен балқу температурасы негізінде, әлсіз біріктіру қабілетімен еніп кете алмайды. Өндірістің дәстүрлі технологиясында алмаз бөлшектері матрицаның суық қысқаруынан пайда болатын механикалық қысқыш күшке ғана сүйенеді, бірақ матрицаның металл матрицасына қатты химиялық байланыс немесе металлургиялық байланыс түзбейді, нәтижесінде алмас бөлшектері пайда болады. матрицалық металл негізінен жұмыста ажырату, бұл алмаз құралдарының қызмет ету мерзімін және өнімділігін айтарлықтай төмендетеді. Көптеген сіңдірілген құралдарда гауһардың кәдеге жарату деңгейі төмен, ал қымбат гауһарлардың көп бөлігі қоқыс жіптерінде жоғалады. Лин Ценджун гауһар тастарын металдандыру технологиясын қолдануда жетекші орынға ие болды, ол тамаша жылу өткізгіштік, жақсы жылу тұрақтылығы, бастапқы физикалық және химиялық қасиеттерін жақсарту, металлға немесе легірленген ерітіндіге ептілігін жақсарту сияқты көптеген жаңа сипаттамаларға ие болды.
Алмаз бетін металдандыру 1970-ші жылдардан бастап үйде және шетелде алмаз аспаптарын өндірушілердің назарын аударды. *** Вольфрам (тотықтырылмаған) сияқты кейбір металдардың гауһар бетінде төмен температурада (800 ℃) WC қабатын құрайтындығы дәлелденгенімен, идеалды байланыс күшін 1 сағат қыздыру арқылы алуға болады вакуум және 600 above-ден жоғары гауһар тастарды металдандыруға дейінгі процессте қолданылады. Жиі қолданылатын сіңдірілген гауһар кескіш құралдардың тербелу жағдайларына сәйкес, егер ол вакуумсыз немесе төмен вакуумда 900 at температурада шамамен 5 минут қыздырылса, металдандырылған қабат алмасу бетінде пайда болуы екіталай. Себебі белсенді металл атомдары (Ti, V, Cr және т.б.) алмас бетінде байытылған ба, әлде интерфейс реакциясы байланыс металлургиялық комбинациясына жетеді, ал алмас атомдық диффузия процесі болып табылады. Ыстық басуға қолданылатын температураға және осындай қысқа уақытқа сәйкес бұл процесс өте сәйкес емес. Қатты фазалық бөліну жағдайында (кейде аз беріктігі мен төмен балқу температурасы металдың немесе легірленген сұйық фазаның аз мөлшері болады), химиялық байланыс немесе матрицаның алмазға металлургиялық байланыс күші өте әлсіз немесе мүлдем пайда болмайды.
Алмаз бетін алдын-ала металлизациялау түпкі мақсат емес, бірақ химиялық металлургияның матрицалық металмен үйлесімін жүзеге асыру жөніндегі шаралардың бірі. Қапталған гауһар аралық (бұрғылау) тістерге сіңгеннен кейін, сыну учаскесінде пайда болған алмас жабынды жоғалтады, ал қалған шұңқырлардың беті өте тегіс болады, бұл алмас пен матрицаның деңгейіне жетпегендігін көрсетеді. химиялық қаптама. Сондықтан, гауһардың беткі метализациясы жүзеге асырылса да, дәстүрлі қатты фазалы ұнтақты металлургияға бөлу әдісі алмаз мен матрицалық материал арасындағы қатты комбинацияны жүзеге асыра алмайды.